La memoria ROM
EPROM
Abbiamo discusso la tecnologia delle Flash memory in Come funziona la ROM ma ecco un breve riepilogo:
Le memorie Flash sono ROM di tipo EEPROM che hanno una griglia formata da righe e colonne. Le celle ad ogni intersezione hanno due transistors deparati da un finissimo strado di ossido.
Uno dei transistor viene definito Control Gate mentre l'altro Floating Gate. Il Floating Gate è collegato alle righe attraverso il Control Gate e fino al perdurare di questo stato il valore della cella è 1. Per settare a 0 il valore della cella c'è bisogno di un curioso processo chiamato Fowler-Nordheim Tunneling. In pratica facendo passare una carica elettrica (di 10 - 13 volts) lungo il Floating Gate, gli elettroni vengono spinti e intrappolati sullo strato di ossido caricandolo negativamente e facendolo agire da barriere tra i due Gate.
Un sensore di cella viene usato per misurare la carica passante per il Floating Gate. Se il flusso supera il 50% della carica si assume che la cella sia a 1, altrimenti a 0. Un EPROM allo stato iniziale ha tutti i Gates aperti e quindi tutte le ceel impostate a 1.
Il Floating Gate ed il Control Gate in azione
Fonte: www.howstuffworks.com
